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專注于半導體電性能測試

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普賽斯儀表關于《SiC功率半導體模塊測試挑戰及應對》的主題演講

來源:admin 時間:2024-07-05 17:07 瀏覽量:822

        新能源汽車滲透率即將達50%,加上風光電領域對功率模塊的需求越來越多,功率模塊備受關注。2024年7月5日,艾邦第三屆功率半導體IGBT/SiC產業論壇在蘇州召開。會議匯聚行業精英共謀發展之策,從新能源汽車電驅與電控行業、光儲及逆變器行業、化合物半導體材料行業、功率半導體行業、封裝與測試行業等不同產業鏈環節出發,探尋不同突破路徑,促進產業的創新與可持續發展。

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        作為國內率先實現高精度數字源表(SMU)產業化的半導體測試裝備優質供應商,普賽斯儀表副總經理王承博士受邀出席并發表《SiC功率半導體模塊測試挑戰及應對》主題演講。

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1、隨著半導體技術的持續進步,制程工藝的不斷提升,對半導體器件的測試和驗證工作日趨關鍵。

2、隨著行業發展,廠家對于測試的需求由原先的CP+FT模式擴展至CP+KGD test +DBC test+FT,甚至包括SLT測試等。

3、如何精確測量功率器件在高流/高壓條件下的I-V曲線或其他靜態特性,變得尤為重要。


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        會上,普賽斯儀表副總經理王承博士闡述了如何準確可靠地實現SiC功率器件的測試方案,以新能源領域車規級功率器件參數測試為切入點,分享了在新能源領域功率器件成套解決方案等方面的關鍵舉措。本場演講重點介紹了普賽斯儀表實驗室、高低溫、產線半自動/全自動等功率半導體靜態參數測試解決方案,廣泛適用于從實驗室到小批量、大批量產線的全方位應用,幫助國產功率半導體廠商加快研發測試以及批量化生產進程。


        普賽斯功率器件靜態參數測試系統,是武漢普賽斯經過精心設計與打造的高精密電壓/電流測試分析系統。該系統不僅提供IV、CV、跨導等多元化的測試功能,還具備高精度、寬測量范圍、模塊化設計以及便捷的升級擴展等顯著優勢。其設計初衷在于全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態參數表征和測試需求,確保測量效率、一致性與可靠性的優異表現。

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PMST功率器件靜態參數測試系統


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PSS TEST靜態高低溫半自動測試系統


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PMST-MP 靜態參數半自動化測試系統


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PMST-AP 靜態參數全自動化測試系統


大電流輸出響應快,無過沖


        自主研發的高效能脈沖式大電流源及高壓源,其輸出建立過程響應迅速,且無過沖現象。在測試環節,大電流的典型上升時間僅為15μs,脈沖寬度可在50~500μs之間靈活調整。采用此種脈沖大電流測試方法,能夠顯著降低因器件自身發熱所引發的誤差,確保測試結果的精確性與可靠性。

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高壓測試支持恒壓限流,恒流限壓模式


        自主研發的高性能高壓源,其輸出建立與斷開反應迅速,且無過沖現象。在進行擊穿電壓測試時,可靈活設定電流限制或電壓限值,以確保設備不因過壓或過流而受損,有效保護器件的安全性和穩定性。

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        普賽斯儀表作為半導體電性能測試領域的權威解決方案供應商,始終秉持創新技術與匠心精神的融合,深耕于功率半導體市場。







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